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ID 115310
タイトル別表記
4H炭化ケイ素MOSFETゲート酸化膜の界面準位及び信頼性に関する研究
著者
許, 恒宇 Tokushima University
キーワード
Silicon carbide
MOSFET
Interface State
Reliability
Thermal Gate Oxide
資料タイプ
Thesis or Dissertation
発行日
2020-09-23
備考
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
文科省報告番号
甲第3448号
学位記番号
甲先第378号
フルテキストファイル
言語
eng
著者版フラグ
ETD
学位授与年月日
2020-09-23
学位名
Doctor of Engineering
学位授与機関
Tokushima University