Graphene stacked junction diode for terahertz emission
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| ID | 113882 |
| タイトル別表記 | テラヘルツ放出グラフェン積層接合ダイオード
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| 著者 |
都, 継瑶
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| キーワード | graphene
terahertz
diode
SiC
semiconductor devices
グラフェン
テラヘルツ
ダイオード
炭化ケイ素
半導体デバイス
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| 資料タイプ |
Thesis or Dissertation
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| 発行日 | 2019-09-26
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| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
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| 文科省報告番号 | 甲第3329号
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| 学位記番号 | 甲先第351号
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| フルテキストファイル | |
| 言語 |
eng
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| 著者版フラグ |
ETD
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| 学位授与年月日 | 2019-09-26
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| 学位名 |
Doctor of Engineering
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| 学位授与機関 |
Tokushima University
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