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ID 111761
タイトル別表記
酸化物の合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用
酸化膜の合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用
著者
Zhang, Tong
キーワード
AlGaN/GaN
HFETs
NiO
HfOxNy
資料タイプ
Thesis or Dissertation
発行日
2018-03-23
備考
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
文科省報告番号
甲第3170号
学位記番号
甲先第304号
フルテキストファイル
言語
eng
著者版フラグ
ETD
学位授与年月日
2018-03-23
学位名
Doctor of Engineering
学位授与機関
Tokushima University