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ID 113329
タイトル別表記
P-GaNキャップ層を有するノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
著者
蒲, 涛飞 徳島大学大学院先端技術科学教育部(システム創生工学専攻)
キーワード
AlGaN/GaN heterostructure
normally-off
blocking layer
gate-first
metal-insulator-semiconductor
資料タイプ
学位論文
発行日
2019-03-06
備考
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
文科省報告番号
甲第3290号
学位記番号
甲先第330号
フルテキストファイル
言語
eng
著者版フラグ
博士論文全文を含む
学位授与年月日
2019-03-06
学位名
博士(工学)
学位授与機関
徳島大学