項目名
ID 113329
タイトル別表記
P-GaNキャップ層を有するノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
著者
蒲, 涛飞
キーワード
AlGaN/GaN heterostructure
normally-off
blocking layer
gate-first
metal-insulator-semiconductor
資料タイプ
Thesis or Dissertation
発行日
2019-03-06
備考
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
文科省報告番号
甲第3290号
学位記番号
甲先第330号
フルテキストファイル
言語
eng
著者版フラグ
ETD
学位授与年月日
2019-03-06
学位名
Doctor of Engineering
学位授与機関
Tokushima University