| 項目名 | 値 |
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| ID | 113329 |
| タイトル別表記 | P-GaNキャップ層を有するノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
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| 著者 |
蒲, 涛飞
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| キーワード | AlGaN/GaN heterostructure
normally-off
blocking layer
gate-first
metal-insulator-semiconductor
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| 資料タイプ |
Thesis or Dissertation
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| 発行日 | 2019-03-06
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| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
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| 文科省報告番号 | 甲第3290号
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| 学位記番号 | 甲先第330号
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| フルテキストファイル | |
| 言語 |
eng
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| 著者版フラグ |
ETD
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| 学位授与年月日 | 2019-03-06
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| 学位名 |
Doctor of Engineering
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| 学位授与機関 |
Tokushima University
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