ID 109391
Title Transcription
SiCジョウ グラフェン ノ デバイス プロセス ニ カンスル ケンキュウ
Title Alternative
Study of device fabrication process for graphene epitaxially grown on SiC
Author
呉, 龍錫
Content Type
Thesis or Dissertation
Published Date
2015-03-23
Remark
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201505271002.pdf
論文本文 : LID201505271003.pdf
FullText File
language
jpn
TextVersion
ETD
MEXT report number
甲第2841号
Diploma Number
甲先第220号
Granted Date
2015-03-23
Degree Name
Doctor of Engineering
Grantor
Tokushima University