| ID | 109391 |
| Title Transcription | SiCジョウ グラフェン ノ デバイス プロセス ニ カンスル ケンキュウ
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| Title Alternative | Study of device fabrication process for graphene epitaxially grown on SiC
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| Author |
呉, 龍錫
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| Content Type |
Thesis or Dissertation
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| Published Date | 2015-03-23
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| Remark | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201505271002.pdf 論文本文 : LID201505271003.pdf |
| FullText File | |
| language |
jpn
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| TextVersion |
ETD
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| MEXT report number | 甲第2841号
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| Diploma Number | 甲先第220号
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| Granted Date | 2015-03-23
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| Degree Name |
Doctor of Engineering
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| Grantor |
Tokushima University
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