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ID 109391
タイトルヨミ
SiCジョウ グラフェン ノ デバイス プロセス ニ カンスル ケンキュウ
タイトル別表記
Study of device fabrication process for graphene epitaxially grown on SiC
著者
呉, 龍錫 徳島大学大学院先端技術科学教育部(システム創生工学専攻)
資料タイプ
学位論文
発行日
2015-03-23
備考
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201505271002.pdf
論文本文 : LID201505271003.pdf
フルテキストファイル
言語
jpn
著者版フラグ
博士論文全文を含む
文科省報告番号
甲第2841号
学位記番号
甲先第220号
学位授与年月日
2015-03-23
学位名
博士(工学)
学位授与機関
徳島大学