| ID | 109391 |
| タイトルヨミ | SiCジョウ グラフェン ノ デバイス プロセス ニ カンスル ケンキュウ
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| タイトル別表記 | Study of device fabrication process for graphene epitaxially grown on SiC
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| 著者 |
呉, 龍錫
徳島大学大学院先端技術科学教育部（システム創生工学専攻)
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| 資料タイプ |
学位論文
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| 発行日 | 2015-03-23
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| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201505271002.pdf 論文本文 : LID201505271003.pdf |
| フルテキストファイル | |
| 言語 |
jpn
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| 著者版フラグ |
博士論文全文を含む
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| 文科省報告番号 | 甲第2841号
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| 学位記番号 | 甲先第220号
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| 学位授与年月日 | 2015-03-23
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| 学位名 |
博士（工学）
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| 学位授与機関 |
徳島大学
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