ID | 109391 |
タイトルヨミ | SiCジョウ グラフェン ノ デバイス プロセス ニ カンスル ケンキュウ
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タイトル別表記 | Study of device fabrication process for graphene epitaxially grown on SiC
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著者 |
呉, 龍錫
徳島大学大学院先端技術科学教育部(システム創生工学専攻)
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資料タイプ |
学位論文
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発行日 | 2015-03-23
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備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201505271002.pdf 論文本文 : LID201505271003.pdf |
フルテキストファイル | |
言語 |
jpn
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著者版フラグ |
博士論文全文を含む
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文科省報告番号 | 甲第2841号
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学位記番号 | 甲先第220号
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学位授与年月日 | 2015-03-23
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学位名 |
博士(工学)
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学位授与機関 |
徳島大学
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