| ID | 109494 |
| タイトル別表記 | 窒化ガリウムトランジスタにおける素子間分離技術の研究
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| 著者 |
江, 瀅
徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻
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| キーワード | Gallium nitride
device isolation
field isolation
AlGaN/GaN HFET
GaN MOSFET
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| 資料タイプ |
学位論文
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| 発行日 | 2015-09-10
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| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201510231001.pdf 論文本文 : LID201602081001.pdf |
| フルテキストファイル | |
| 言語 |
eng
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| 著者版フラグ |
博士論文全文を含む
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| 文科省報告番号 | 甲第2875号
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| 学位記番号 | 甲先第228号
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| 学位授与年月日 | 2015-09-10
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| 学位名 |
博士（工学）
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| 学位授与機関 |
徳島大学
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