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ID 97849
タイトルヨミ
プラズマ イオン ト シガイ コウセン ノ シナジー コウカ ニヨル ワイド ギャップ ハンドウタイ エッチング ダメージ ノ フルマイ
タイトル別表記
Etch Damage Characteristics of Wide Gap Semiconductors due to Synergy Effect of Plasma Ions and UV Lights
著者
川上, 烈生 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 徳島大学 教育研究者総覧 KAKEN研究者をさがす
キーワード
Wide gap semiconductor
Plasma ions
UV lights
Synergy effect
CCP
DBD
JET
資料タイプ
紀要論文
抄録
Damage characteristics of wide gap semiconductors (n-GaN and TiO2) etched or exposed by low
temperature plasmas have been studied. Morphologies of n-GaN surfaces etched by CCP He plasmas
seem to be similar to that of the as-grown, regardless of gas pressure and etch time, while
morphologies of TiO2 surfaces etched at high gas pressure (7~13 Pa) become rough when the etch
time lengthens. This difference between the two semiconductors would be explained by synergy
effect of He plasmas ions and UV lights (which corresponds to TiO2 band gap energy) emitted. In
contrast, DBD air plasma at 1 kPa and JET He plasma do not cause damage to TiO2: photo-catalytic
properties (hydrophilicities) of TiO2 are more enhanced by these two plasmas.
掲載誌名
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告
ISSN
21859094
cat書誌ID
AA12214889
57
開始ページ
9
終了ページ
16
並び順
9
発行日
2012
フルテキストファイル
言語
jpn
部局
理工学系