項目名
ID 113882
タイトル別表記
テラヘルツ放出グラフェン積層接合ダイオード
著者
都, 継瑶
キーワード
graphene
terahertz
diode
SiC
semiconductor devices
グラフェン
テラヘルツ
ダイオード
炭化ケイ素
半導体デバイス
資料タイプ
Thesis or Dissertation
発行日
2019-09-26
備考
内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
文科省報告番号
甲第3329号
学位記番号
甲先第351号
フルテキストファイル
言語
eng
著者版フラグ
ETD
学位授与年月日
2019-09-26
学位名
Doctor of Engineering
学位授与機関
Tokushima University