| 項目名 | 値 |
|---|---|
| ID | 113882 |
| タイトル別表記 | テラヘルツ放出グラフェン積層接合ダイオード
|
| 著者 |
都, 継瑶
|
| キーワード | graphene
terahertz
diode
SiC
semiconductor devices
グラフェン
テラヘルツ
ダイオード
炭化ケイ素
半導体デバイス
|
| 資料タイプ |
Thesis or Dissertation
|
| 発行日 | 2019-09-26
|
| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
|
| 文科省報告番号 | 甲第3329号
|
| 学位記番号 | 甲先第351号
|
| フルテキストファイル | |
| 言語 |
eng
|
| 著者版フラグ |
ETD
|
| 学位授与年月日 | 2019-09-26
|
| 学位名 |
Doctor of Engineering
|
| 学位授与機関 |
Tokushima University
|
