| 項目名 | 値 |
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| ID | 115310 |
| タイトル別表記 | 4H炭化ケイ素MOSFETゲート酸化膜の界面準位及び信頼性に関する研究
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| 著者 |
許, 恒宇
Tokushima University
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| キーワード | Silicon carbide
MOSFET
Interface State
Reliability
Thermal Gate Oxide
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| 資料タイプ |
Thesis or Dissertation
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| 発行日 | 2020-09-23
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| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開
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| 文科省報告番号 | 甲第3448号
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| 学位記番号 | 甲先第378号
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| フルテキストファイル | |
| 言語 |
eng
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| 著者版フラグ |
ETD
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| 学位授与年月日 | 2020-09-23
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| 学位名 |
Doctor of Engineering
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| 学位授与機関 |
Tokushima University
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