ID 74509
タイトルヨミ
ヒカリヘンカン ポリタイプ オ モチイタ ワイド バンド ギャップ
タイトル別表記
Development of wide band-gap semiconductor three-dimensional devices by using photo-converted heteropolytipic structures
著者
富田, 卓朗 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 エコシステムデザイン部門(先端技術科学教育部 環境創生工学専攻 エコシステム工学コース) 徳島大学 教育研究者総覧 KAKEN研究者をさがす
松尾, 繁樹 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 エコシステムデザイン部門(先端技術科学教育部 環境創生工学専攻 エコシステム工学コース)
岡田, 達也 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 先進物質材料部門(先端技術科学教育部 知的力学システム工学専攻 機械創造システム工学コース) 徳島大学 教育研究者総覧 KAKEN研究者をさがす
直井, 美貴 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 先進物質材料部門(先端技術科学教育部 システム創生工学専攻 電気電子創生工学コース) 徳島大学 教育研究者総覧 KAKEN研究者をさがす
キーワード
semiconductor
laser
laser-ablation
modification
laser-induced periodic structure
資料タイプ
紀要論文
抄録
Femtosecond laser-induced structural transformations in wide band-gap semiconductors were
studied for the development of the fabrication technique for three-dimensional electronic
circuits. In particular, we will report the results on the femtosecond laser-induced periodic
structures produced on wide band-gap materials. We also investigated the material properties of
laser-irradiated spot by using confocal micro Raman spectroscopy and transmission electron
microscopy. We will discuss the effect of femtosecond laser-irradiation on wide band-gap
semiconductors.
掲載誌名
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告
ISSN
21859094
cat書誌ID
AA12214889
52
発行日
2007
フルテキストファイル
言語
jpn
部局
理工学系