| ID | 74509 |
| タイトルヨミ | ヒカリヘンカン ポリタイプ オ モチイタ ワイド バンド ギャップ
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| タイトル別表記 | Development of wide band-gap semiconductor three-dimensional devices by using photo-converted heteropolytipic structures
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| 著者 |
松尾, 繁樹
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 エコシステムデザイン部門(先端技術科学教育部 環境創生工学専攻 エコシステム工学コース)
岡田, 達也
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部 先進物質材料部門(先端技術科学教育部 知的力学システム工学専攻 機械創造システム工学コース)
徳島大学 教育研究者総覧
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| キーワード | semiconductor
laser
laser-ablation
modification
laser-induced periodic structure
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| 資料タイプ |
紀要論文
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| 抄録 | Femtosecond laser-induced structural transformations in wide band-gap semiconductors were
studied for the development of the fabrication technique for three-dimensional electronic circuits. In particular, we will report the results on the femtosecond laser-induced periodic structures produced on wide band-gap materials. We also investigated the material properties of laser-irradiated spot by using confocal micro Raman spectroscopy and transmission electron microscopy. We will discuss the effect of femtosecond laser-irradiation on wide band-gap semiconductors. |
| 掲載誌名 |
徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部研究報告
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| ISSN | 21859094
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| cat書誌ID | AA12214889
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| 巻 | 52
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| 発行日 | 2007
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| フルテキストファイル | |
| 言語 |
jpn
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| 部局 |
理工学系
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