| ID | 109495 |
| タイトル別表記 | AlGaN/GaNヘテロ構造上エンハンスメント型GaN MOSFETの開発
|
| 著者 |
王, 青鵬
徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻
|
| キーワード | GaN MOSFETs
ICP
parallel channel
overestimation
process dependency
|
| 資料タイプ |
学位論文
|
| 発行日 | 2015-09-10
|
| 備考 | 内容要旨・審査要旨・論文本文の公開:
内容要旨・審査要旨 : LID201510231002.pdf 論文本文 : LID201602081002.pdf |
| フルテキストファイル | |
| 言語 |
eng
|
| 著者版フラグ |
博士論文全文を含む
|
| 文科省報告番号 | 甲第2877号
|
| 学位記番号 | 甲先第230号
|
| 学位授与年月日 | 2015-09-10
|
| 学位名 |
博士（工学）
|
| 学位授与機関 |
徳島大学
|
